手机是人们的交流必备工具和生活必需品，而充电器又是手机长久运行的必需品，虽然我们每天都会使用充电器，但似乎很少有人会思考充电器怎么才能更好用。最近很火的氮化镓（GaN），这是一项可能会颠覆你之前对充电器认知的技术。

今年，一种新的充电科技逐渐进入消费者的视野——氮化镓，它让的出现被称为未来完美充电器的解决方案，听起来就很黑科技。

是由氮和镓组成的一种半导体材料（分子式GaN，英文名称Gallium nitride）。作为半导体材料的新晋成员，“氮化镓”这一新兴半导体材料的诞生，犹如平地一声雷，以其优势特性，横扫其他众多半导体材料。是一种极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度。正因为其特征，成为了研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。是第三代半导体材料。技术革命快速渗入：射频、电信基础设施5G宏基站建设、国防、快充、汽车电子、消费电子、以及快充等等领域。

首先，氮化镓制成的充电头体积小，充电头中的氮化镓，是一种可以代替硅、锗的新型半导体材料，由它制成的氮化镓开关管,开关频率大幅度提高，损耗却更小。开关的频率高就可以可以减少变压器和电容的工作压力以减小体积，所以氮化镓充电头的体积会比一般的充电头更小。第二就是功率大，氮化镓的带隙比硅高得多，这就意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，会让电子产品的用电量减少10%~25%。当然不止省电费，主要还是充电更快！最后就是易散热了，氮化镓半导体与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200℃以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够最小化过度充电的可能性。