图1 拓克硕各类别自动化测试系统展示

当消费者对产品的需求量变大，产量同样也就变大了，这个时候就需要全自动电源测试老化系统了，测试系统支持多件产品同时测试，测试治具根据产品定制。测试员把产品放在测试治具上，然后测试治具的探针由气动构件作为载体顶住产品需要被测的点位，机器进行上电，数据由各类测试仪器仪表分析传输进工控电脑，如果测试数据合格，即可pass通过，否则产品测试失败。这就是自动化测试系统，在作业人员看来，只需把产品放在治具，双手同时按下工控按钮，等待几秒，即可同时得知所测几个产品的好坏。这时，分析出的数据已经自动变成报表以Excel表格储存至电脑。操作非常简单，降低成本的同时增高效率。

图2 拓克硕为公牛定制的排插测试治具以及测试系统

氮化镓快充测试系统

                                                                                                                                                                           图3 氮化镓快充测试系统

我们知道，氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅(Si)器件是不相上下的。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。

使用GaN则可以更快地处理电源电子器件并更有效地为越来越多的高压应用提供功率。GaN更优的开关能力意味着它可以用更少的器件更有效地转换更高水平的功率，如图1所示。GaN半导体能够在交流/直流供电应用，实现新型电源和转换系统。（例如，5G通信电源整流器和服务器计算）GaN不断突破新应用的界限，并开始取代汽车、工业和可再生能源市场中传统硅基电源解决方案。

具有保护功能的GaN器件

GaN器件的结构与硅器件截然不同。尽管它们可以更迅捷地开关，但是从性能和可靠性的角度来看，仍然面临独特的难题。使用分立式GaN器件时，还存在设计简便性和物料清单成本之类的问题。

与硅MOSFET不同，GaN可以“类二极管”的方式在第三象限导通，并通过减小电压降尽可能减少死区时间。

图4 硅设计与GaN设计的磁性元件功率密度对比